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VI8855B
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VI8855B

VI8855B系列芯片是一款低功耗高性能的,大功率315/433MHz 短距离无线通讯发射机。VI8855B 具有低功耗,宽工作电压,大输出功率等特点。
VI8855B片内集成了PLL和功率放大器,其中PLL为发射机提供载波信号。功率放大器将PLL输出的信号进行功率放大,采用E类放大器结构,保证低功耗下输出信号功率大于13dBm。
VI8855B 采用SOT23-6封装。
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产品描述

VI8855B系列芯片是一款低功耗高性能的,大功率315/433MHz 短距离无线通讯发射机。VI8855B 具有低功耗,宽工作电压,大输出功率等特点。

VI8855B片内集成了PLL和功率放大器,其中PLL为发射机提供载波信号。功率放大器将PLL输出的信号进行功率放大,采用E类放大器结构,保证低功耗下输出信号功率大于13dBm

VI8855B 采用SOT23-6封装。

特性

工作电压范围宽2.2V~3.6V

工作频率范围宽300MHz~450MHz

工作电流小18mA@3V 13dBm

输出功率达到13dBm

待机电流小1uA

最大发射码率10kbps

支持多种编码协议

工作温度范围-40~+85

不需外接晶振驱动电容

应用领域

遥控门禁系统

胎压监测设备

遥控风扇、照明开关

无线传感数据传输

红外接收器替换

玩具遥控


1、脚位定义及说明

1.1脚位示意图

           4.png             

1 VI8855B管脚示意图

1.2脚位说明

1 VI8855B管脚描述

管脚号

管脚名称

管脚类型

功能说明

1

GND

P

接地

2

GND

P

接地

3

POUT

O

射频功率输出

4

DIN

I

数据输入

5

VDD

P

电源输入

6

XI

I/O

晶体驱动管脚

2、绝对最大额定值

2 绝对最大额定值

参数

符合

    条件

最小

最大

单位

电源电压

VDD


-0.3

3.6

V

接口电压

VIN


-0.3

VDD + 0.3

V

结温

TJ


-40

125

储藏温度

TSTG


-50

150

焊接温度

TSDR

持续时间不超过30


255

ESD 等级


人体模型(HBM)

-3

3

kV

栓锁电流


@ 85

-100

100

mA

3、工作条件

3 推荐工作条件

参数

最小值

最大值

单位

电源电压

2.2

3.6

V

工作温度

-40

85

4、电特性参数

4 发射器规格

参数

符号

   

最小值

典型值

最大值

单位

电源电流

ICC1

fINASK=9.84375MHz



18

mA

ICC2

fINASK=13.56MHz



20

mA

待机电流

ICC_STD




1

uA

输出功率

POUT1

fINASK=9.84375MHz



13

dBm

POUT2

fINASK=13.56MHz



13

dBm

谐波抑制

THD1

fINASK=9.84375MHz



35

dBc

THD2

fINASK=13.56MHz



35

dBc

码率

DRATE

OOK/ASK 模式



10K

bps

5、功能描述

VI8855B短距离无线通讯发射SOC应用于315MHz433MHz低功耗、低成本短距离发射器,支持ASK调制方式,由微处理器、频率合成器(PLL)和功率放大器等电路组成。该芯片具有高集成度、低功耗、高功率等性能,发射功率大于13dBm

5.1框架图

5.png

2 VI8855B 内部电路框架图

5.2频率合成器(PLL

PLL为发射机提供载波信号,VI8855B 中的PLL的工作频点较低(433M 315M),由于对功耗要求很高,采用的是环形振荡器提供的本振信号,环路中采用的固定32分频比分频器,并内置环路滤波器,整体的功耗控制在1mA以下。

5.3晶体振荡器

外部参考振荡器决定着发射频率,而且发射频率是参考频率的32倍,即

fTx=32fREFOSC

因此必须选择适当频率的晶振。晶振的等效串联电阻不大于20Ω,若使用信号发生器,其输入辐值建议在800mVpp1500mVpp范围之间进行选择。

5.4功率放大器

VI8855B内部包含一个功率放大器,两个可编程带通滤波器,功率放大器将输入信号进行功率放大,采用E类放大器结构,漏极开路输出,外接扼流电感结构。应用时采用π型窄带匹配网络,提高谐波抑制,保证输出信号功率达到13dBm

6、典型应用电路图

6.1 典型应用电路

6.png

3 VI8855B典型应用电路

6.2 典型电路BOM

5 典型电路参考BOM

参考编号

说明

315MHz

433MHz

X1

晶体,±20 ppm

9.84375MHz

13.56MHZ

R1

电源滤波电阻±5%

0R

0R

R2

电源滤波电阻±5%

0R

0R

L1

匹配网络电感,±10%,   叠层电感

180nH

180nH

L2

匹配网络电感,±10%,   叠层电感

39nH

22nH

L3

短路电阻±5%

0R

0R

C1

匹配网络电容,±0.25 pF,   NP0, 50 V

8pF

7pF

C2

匹配网络电容,±0.25 pF,   NP0, 50 V

15pF

12pF

C3

电源滤波电容,±20%,   X7R, 25 V

1uF

1uF

C4

电源滤波电容,±20%,   X7R, 25 V

1uF

1uF

C5

匹配网络电容,±0.25 pF,   NP0, 50 V

220pF

220pF

注意:实际参数根据PCB设计和天线不同会有偏差,需要根据实际情况调整。


7、封装信息

   芯片采用标准SOT23-6封装。

7.png

4 VI8855B封装示意图


参数

符号

 

最小值

典型值

最大值

单位

电源电流

ICC1

fINASK=9.84375MHz



18

mA

ICC2

fINASK=13.56MHz



20

mA

待机电流

ICC_STD




1

uA

输出功率

POUT1

fINASK=9.84375MHz



13

dBm

POUT2

fINASK=13.56MHz



13

dBm

谐波抑制

THD1

fINASK=9.84375MHz



35

dBc

THD2

fINASK=13.56MHz



35

dBc

码率

DRATE

OOK/ASK 模式



10K

bps


VI8855B_datasheet.pdf